igbt英飞凌BSM25GD120DLCE3224可控硅模块

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IGBT的工作原理和作用电路分析版：
　　IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：
　　--IGBT栅极与发射极之间的电压；
　　--IGBT集电极与发射极之间的电压；
　　--流过IGBT集电极-发射极的电流；
　　--IGBT的结温。
　　如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能性损坏；同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会性损坏。