全新原装IGBT可控硅模块FZ3600R17HE4P双向晶闸管igbt模块

¥：面议

产品参数

产品详情

品牌：银耀

型号：FZ3600R17HE4P

封装：FZ3600R17HP4,FZ3600R17HE4,FZ3600R17HE4P,FZ3600R17HP4_B2,FZ3600R17HP4_B9,FZ3600R17KE3_B2,FZ2400R17KE3_B9,FZ1800R17KE3_B9,FZ1600R17KE3_B2,FZ1200R17KE3_B2,FZ1200R17KE3_S1,FZ1800R17KE3_B2,FZ2400R17KE3_B2,FZ800R17KF6C_B2,FZ1200R17KF6C_B2,FZ1600R17KF6C_B2,FZ2400R17KF6C_B2

批号：+22

IGBT类型：沟槽型场截止

配置类型：配置单开关

集射极击穿电压(VCEO)：1700V

最大集电极电流(Icm)：3600A

集电极截止电流：5 mA

最大耗散功率：4900000 W

工作温度范围：-40°C ~ 150°C

安装类型：底座安装

应用领域：电工电气

银耀芯城详情页版面_01.jpg

银耀芯城详情页版面_02.jpg

银耀芯城详情页版面_04.jpg

银耀芯城详情页版面_05.jpg

银耀芯城详情页版面_06.jpg

银耀芯城详情页版面_07.jpg