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银耀芯城半导体(江苏)有限公司

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英飞凌

FD300R06KE3igbt龙头 可控硅控制器 英飞凌 数量批次充足22+

¥:400.00

产品参数

详细参数
型号:FD300R06KE3用途:L
封装外形:其他材料:ALGaAS铝镓砷
相数:单相控制方式:脉冲宽度调制(PWM)
主电路形式:全桥式频率:低频
加工定制:是导电沟道:N沟道
导电方式:增强型极间电容:300
开启电压:600夹断电压:300
最大漏极电流:700低频噪声系数:555
最大散热功率:123产品认证:CCC

产品详情

英飞凌作为全球领先的半导体公司,产品丰富多样,技术先进,在众多领域都有着广泛应用,以下为你介绍其部分代表性产品:

85V - 300V N - 沟道功率MOSFET

1. 性能:包含OptiMOS™和StrongIRFET™两大技术系列。其中OptiMOS™ 6 100V功率MOSFET在高开关频率应用中性能出色、效率更高;OptiMOS™ 5 100V功率MOSFET的漏源导通电阻(RDS(on))相比同类器件降低了22% ,在低导通电阻品质因数(FOM)方面处于行业领先,SuperSO8封装中阻抗值低至2.7mΩ 。并且该系列产品普遍具备极低的反向恢复电荷(Qrr) 、出色的导通电阻(RDS(on))以及支持快速开关和硬开关的品质因数(FOM)。

2. 用途:适用于低、中、高功率应用,满足工业及汽车应用需求。如开关模式电源(SMPS)、太阳能、电动工具、电池管理系统、电信和服务器电源、笔记本电脑适配器 、交流转直流SMPS中的同步整流、12V - 48V系统服务器风扇、电机控制、D类音频放大器、DC - AC逆变器、工业电源、不间断电源等。

3. 产品介绍:该组合产品众多,像OptiMOS™ 100V MOSFET针对高性能应用优化;OptiMOS™线性FET 100V/150V/200V设计用于减少传导损耗,建立更快,中间过程更短,适用于热插拔和电子保险丝应用;OptiMOS™快速二极管200V/220V/250V/300V针对硬开关拓扑结构优化,优化了反向恢复电荷(Qrr) ,其中250V MOSFET N沟道与OptiMOS™ 3相比,Qrr降低了40% ,减少电压过冲,提高系统可靠性 。

32位工业微控制器MCU